本页汇总中山市华工科技(HGCHIPS)已量产的 DDR3 SDRAM 国产替代型号,全部按 pin-to-pin(免改电路)兼容思路开发,可对应替换三星、海力士、南亚等原厂料号。
| 序号 | HGCHIPS 型号 | 可替代原厂料号 | 原厂品牌 | 容量 | 速率 |
|---|---|---|---|---|---|
| 1 | HGD34G16S18 | K4B4G1646E-BCMA | 三星 Samsung | 4Gbit | 1866 |
| 4 | HGD34G16S21 | K4B4G1646E-BCNB | 三星 Samsung | 4Gbit | 2133 |
| 5 | HGD32G16S21 | K4B2G1646F-BCNB | 三星 Samsung | 2Gbit | 2133 |
| 8 | HGD44G16H18 | H5TC4G63EFR-RDA | 海力士 SK Hynix | 4Gbit | 1866 |
| 14 | HGD34G16N18 | NT5CC256M16ER-EK | 南亚 Nanya | 4Gbit | 1866 |
| 15 | HGD32G16N16 | NT5CC128M16IP-DI | 南亚 Nanya | 4Gbit | 1600 |
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