H5TQ1G63EFR-11C 国产替代型号 — HGCHIPS HGD31G16H13E(DDR3 SDRAM 1Gb 64Mx16)

正在为 H5TQ1G63EFR-11C(SK海力士 SK Hynix)寻找国产替代?HGCHIPS HGD31G16H13E 为 pin-to-pin 兼容替代型号,封装、引脚定义与功能逐项对照原厂数据手册,换料免改电路,可直接用于现有 PCB 与固件,适合二供导入、停产(EOL)与配额短缺场景。

H5TQ1G63EFR-11C 规格参数

原厂品牌SK海力士 SK Hynix
原厂料号H5TQ1G63EFR-11C
产品系列DDR3 SDRAM
容量1Gb
组织方式64Mx16
速率等级DDR3-1333
工作电压1.5V (DDR3)
封装VFBGA-96
温度等级商规

替代型号对照:H5TQ1G63EFR-11C → HGD31G16H13E

对照项SK Hynix(原厂)HGD31G16H13E(HGCHIPS)
产品系列DDR3 SDRAMDDR3 SDRAM
容量1Gb1Gb
组织方式64Mx1664Mx16
速率等级DDR3-1333DDR3-1333
工作电压1.5V (DDR3)1.5V (DDR3)
封装VFBGA-96VFBGA-96
温度等级商规商规
兼容方式原厂pin-to-pin 引脚兼容

替代说明与注意事项

  • 免改电路:引脚定义与封装一致,替换无需重新布板;BOM 直接替换即可试产。
  • 逐批测试报告:出货前 100% 检验,可按批次提供测试数据用于 IQC 归档。
  • 速率档与电压档:高速档可向下兼容低速平台;商规料不能替代工规料,工控与户外场景请选工业级(-40~85℃)型号。
  • 导入建议:请提供完整料号(含后缀)与主板平台信息,由 FAE 核对 die 版本与时序后再量产。

采购与样品

  • 现货 48 小时发货,长周期项目可锁价;
  • 样品 10 pcs 起,样品费用可抵扣首单;
  • 支持小批量试产与大货排产,提供批次追溯。

相关替代型号

同系列可替代料号:H5TC2G63DFR-RDA · H5TC2G83DFR-RDA · H5TC4G63EFR-RDI · H5TC4G63EFR-RDN · H5TC4G63EFR-TEN · H5TC4G83EFR-PBA · H5TC4G83EFR-RDI · H5TC8G63CMR-PBA

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