HGCHIPS HGD34G08M21 国产替代选型 — DDR3 SDRAM 4Gb 512Mb x8 DDR3-2133

HGCHIPS HGD34G08M21 是针对 美光 Micron DDR3L 系列料号的规格对位型号:容量 4Gb、组织方式 512Mb x8、速率档 DDR3-2133、工作电压 1.35V (DDR3L)、封装 TFBGA,逐项与原厂数据表对位,可作为二供导入与长周期备货方案。

当前状态:在产可售(规格对位)。该型号的在产状态已由公司 FAE 核对确认,可正常报价与排产。导入方式为容量 / 组织 / 速率 / 电压逐项规格对位,本页不做 pin-to-pin 引脚兼容宣称;如需引脚级结论,请把完整料号与主板平台信息发给我们,由 FAE 书面确认引脚定义与 die 版本。

HGD34G08M21 关键参数

HGCHIPS 型号HGD34G08M21
产品系列DDR3 SDRAM
容量4Gb
组织方式512Mb x8
速率等级DDR3-2133
工作电压1.35V (DDR3L)
封装TFBGA 78-ball
温度等级0°C to +95°C
对位原厂美光 Micron(1 个料号)
在产状态在产可售(FAE 已确认)
兼容方式规格对位(容量 / 组织 / 速率 / 电压一致;引脚级结论请联系 FAE 书面确认)

对位原厂料号(美光 Micron,共 1 个)

原厂料号密度 / 组织速率电压温度等级原厂状态
MT41K512M8DA-093:P4Gb 512Mb x8DDR3-21331.35V (DDR3L)商规Production

导入注意事项

  • 本型号已在产可售,属于规格对位方案;如需 pin-to-pin 引脚级结论,请提交完整料号由 FAE 书面确认。
  • 速率档可向下兼容:1866MT/s 档可用于 1600MT/s 及以下平台;平台实际频率以主控手册为准。
  • 商规与工规价格差异明显,仅当平台确有温度等级要求时才向上选型(表中工规/车规料号单独列出)。
  • 建议先小批量验证再放量,样品 10 pcs 起,样品费用可抵扣首单。

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