HGCHIPS HGD34G16M18 国产替代选型 — DDR3 SDRAM 4Gb 256Mb x16 DDR3-1866

HGCHIPS HGD34G16M18 是针对 美光 Micron DDR3L 系列料号的规格对位型号：容量 4Gb、组织方式 256Mb x16、速率档 DDR3-1866、工作电压 1.35V (DDR3L)、封装 TFBGA，逐项与原厂数据表对位，可作为二供导入与长周期备货方案。

当前状态：在产可售（规格对位）。该型号的在产状态已由公司 FAE 核对确认，可正常报价与排产。导入方式为容量 / 组织 / 速率 / 电压逐项规格对位，本页不做 pin-to-pin 引脚兼容宣称；如需引脚级结论，请把完整料号与主板平台信息发给我们，由 FAE 书面确认引脚定义与 die 版本。

HGD34G16M18 关键参数

HGCHIPS 型号	HGD34G16M18
产品系列	DDR3 SDRAM
容量	4Gb
组织方式	256Mb x16
速率等级	DDR3-1866
工作电压	1.35V (DDR3L)
封装	TFBGA 96-ball
温度等级	-40°C to +105°C；-40°C to +125°C；-40°C to +95°C；0°C to +95°C
对位原厂	美光 Micron（6 个料号）
在产状态	在产可售（FAE 已确认）
兼容方式	规格对位（容量 / 组织 / 速率 / 电压一致；引脚级结论请联系 FAE 书面确认）

对位原厂料号（美光 Micron，共 6 个）

原厂料号	密度 / 组织	速率	电压	温度等级	原厂状态
MT41K256M16TW-107 AAT:P	4Gb 256Mb x16	DDR3-1866	1.35V (DDR3L)	车规级	Production
MT41K256M16TW-107 AIT:P	4Gb 256Mb x16	DDR3-1866	1.35V (DDR3L)	工业级增强	Production
MT41K256M16TW-107 AUT:P	4Gb 256Mb x16	DDR3-1866	1.35V (DDR3L)	车规级	Contact Sales
MT41K256M16TW-107 IT:P	4Gb 256Mb x16	DDR3-1866	1.35V (DDR3L)	工业级	Production
MT41K256M16TW-107 XIT:P	4Gb 256Mb x16	DDR3-1866	1.35V (DDR3L)	工业级	Production
MT41K256M16TW-107:P	4Gb 256Mb x16	DDR3-1866	1.35V (DDR3L)	商规	Production

导入注意事项

本型号已在产可售，属于规格对位方案；如需 pin-to-pin 引脚级结论，请提交完整料号由 FAE 书面确认。
速率档可向下兼容：1866MT/s 档可用于 1600MT/s 及以下平台；平台实际频率以主控手册为准。
商规与工规价格差异明显，仅当平台确有温度等级要求时才向上选型（表中工规/车规料号单独列出）。
建议先小批量验证再放量，样品 10 pcs 起，样品费用可抵扣首单。

HGCHIPS HGD34G16M18 国产替代选型 — DDR3 SDRAM 4Gb 256Mb x16 DDR3-1866

HGD34G16M18 关键参数

对位原厂料号（美光 Micron，共 6 个）

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